美国加州大学洛杉矶分校工程团队给高功率芯片散热找到了新出路

美国加州大学洛杉矶分校工程团队,这回给高功率芯片散热找到了新出路。他们在材料科学和热管理技术上搞了个突破,就是把一种新型金属化合物——θ相氮化钽(TaN)给合成出来了。这材料导热性能特别强,比以前那些铜和银都要厉害,能给那些大功率的电子设备散散热。以前大家总觉得铜和银已经不错了,不过随着现在的人工智能芯片和高性能处理器越来越耗电,它们已经到极限了。这回这个团队就想用这个新的金属材料来解决这个大难题。 他们在美国加州大学洛杉矶分校塞缪尔工程学院干了不少实验,用光了各种先进的技术来分析这个θ相氮化钽的微观结构和怎么传热的。结果发现这个材料长得有点特别,是个六角形的晶格结构。这个结构能减少电子和声子之间的碰撞,让热能跑得更快一些。以前传统金属里的碰撞会让热能传得慢很多,而这个新东西因为“耦合弱”,所以热量就像顺顺当当跑过去一样快。 研究负责人胡永杰说,这个发现不光刷新了金属导热的纪录,也给大家一个启示:没准儿以后咱们还能通过控制晶体结构来打破材料导热能力的理论极限。现在人工智能训练芯片还有图形处理器都那么费电,散热成了大问题。要是能把这个θ相氮化钽用到热界面材料或者散热基板上,芯片的温度就能降下来一点,能效比也能上去一点。 其实这个团队在搞高导热材料这块儿早有积累了。之前他们还弄出过硼砷化物半导体材料,给氮化镓芯片散热也起了作用。现在这个θ相氮化钽的发现又把金属材料这一块的空白给补上了。除了电子领域外,航空航天、量子测量这些对温度要求特别高的地方也能用得着它。 在极端环境下工作的设备特别怕热胀冷缩还有散热不好的问题。θ相氮化钽这种材料耐热又好散热,说不定能给这些领域带来一些新的变化。材料科学进步往往能带来技术变革嘛。这次发现说明咱们通过微观设计真的能突破性能极限。虽然这东西现在实验室里有了成果,但要想大规模生产还得解决制备工艺和成本问题呢。 不过呢,这个方向还是给下一代的热管理技术注了点儿新动力。以后要是能跨学科合作继续深入研究下去,材料创新肯定能给人工智能、量子科技这些前沿领域打下更坚实的基础。