（问题）在第三代半导体加速导入的背景下，碳化硅凭借耐高温、高击穿电场、高热导率等特性，正快速进入新能源汽车电驱系统、充电设施、智能电网和高频通信等应用场景。但产业端普遍遇到两道“卡点”：一是衬底材料价格和制造成本仍然偏高；二是晶圆从6英寸向8英寸乃至12英寸演进后，加工难度、良率控制与装备稳定性要求同步提升。大尺寸衬底的加工能力，直接关系到终端器件能否规模化供给，以及成本更下降的空间。
碳化硅产业竞争，表面看是材料与产能之争，深层则是工艺路线与装备能力之争。第三批12英寸兼容设备的交付，为大尺寸衬底加工提供了可供产业验证的新选择。面向未来，只有围绕核心技术持续迭代、加强产业协同，并用量产数据验证可靠性，才能把阶段性突破转化为可复制的规模优势，为我国第三代半导体产业发展夯实基础。