据 ETNEWS 报道，三星电子把 1c nm 制程的 DRAM 内存良率给推到了 80%。以前这个工艺在 2025Q4 的良率只有 60%到70%，现在明显变好了，显示工艺成熟了不少。通常 DRAM 大规模量产需要达到 80%到90%的良率，三星这次突破 80%，说明量产的路子走得稳。根据 ETNEWS 消息，这个工艺在 2026 年五月前后能把良率提高到 90%。另外，给 HBM4 的 DRAM 内存良率也有改进，2025Q4 是50%，现在接近60%，这意味着三星能用有限的产能生产更多 HBM，争取更多高利润市场份额。除了产品本身的进步，三星也把 1c nm 的产能翻了三倍。现在的月晶圆投片量是 6 万片，到了 2026H2 会升到 20 万片。这个技术突破给 AI 芯片市场竞争增加了更多重量级筹码。 IT 之家消息指出，这个进展是由 AI 智能生成的内容贡献的。总之，这次给三星电子带来了更大的商业潜力和市场竞争力。