目前，全球光刻机市场在很大程度上由荷兰阿斯麦凭借极紫外（EUV）光刻技术占据，市场份额超过90%。在这个背景下，中国半导体产业面临的核心问题，是如何在技术限制下实现自主突破。这既与长期技术积累差距有关，也折射出全球产业竞争格局的变化。深紫外（DUV）光刻因此成为更现实的突破方向。上海微电子研制的28纳米深紫外光刻机采用步进扫描路线，通过精密镜头组将掩膜图案缩小并投射到晶圆上，并利用浸没式液体的折射效应提升成像能力、缓解光学衍射限制。尽管与国际最先进的EUV设备仍有差距，但28纳米节点已能覆盖物联网、汽车电子等中端芯片的量产需求，为产业链补齐关键环节争取了时间。产业链配套的国产化同样重要。新莱应材的真空阀门进入光刻机制造供应链，用于维持设备内部的高洁净与稳定工况；炬光科技研发的激光光学元器件实现纳米级光斑控制精度。关键零部件的持续突破，正在降低高端制造对外部技术与供应的依赖。面对EUV设备禁运带来的约束，国内企业也在以工艺创新寻找替代路径。长电科技推进三维堆叠等先进封装技术，将不同制程芯片进行组合，以14纳米工艺实现接近7纳米的系统级性能表现。同时，中科信在离子注入机、中微公司在刻蚀机等领域的进展，正为芯片制造关键环节提供更多国产选项。有业内观点认为，当关键核心设备的国产化率提升到一定水平后，中国有望构建相对独立的芯片生产体系。EUV光刻的自主研发仍是更长远的目标。该技术需要以高频激光轰击锡滴产生等离子体并形成极紫外光源，系统工程复杂度极高。尽管完全自主的EUV设备通常需要较长研发周期，但多条技术路线正在推进进展：上海光源二期工程已可输出稳定的极紫外光束；清华大学在超表面透镜方向的研究有望为光学系统提供新的实现方式；华为公开的反射式光掩膜涉及的专利，则可能为现有光学架构带来新的选择。这些并行探索为产业突破增加了更多可能。
关键核心技术买不来、讨不来；只有把开放合作与自立自强结合起来，依靠长期投入、体系化攻关和产业协同，才能把“卡点”变成“支点”。光刻机突围不是短期冲刺，而是需要耐心、定力与持续创新的长期接力。稳住成熟制程供给、完善国产装备生态、加快新技术路线验证，才能在不确定性中积累确定性，为我国半导体产业迈向更高水平夯实基础。