在全球高端芯片竞争愈加激烈的背景下，三星电子最近公布的工艺进展引起业界广泛关注；据报道，该公司采用1c纳米制程的DRAM内存芯片在高温测试中实现80%的良率，相比去年底的60%-70%有明显提升。按照目前的发展速度，预计今年五月良率有望达到90%，达到业界理想水平。
在先进存储领域，技术突破最终要靠量产良率和供应能力来证明；良率的提升与产能的扩张同步推进，说明了企业制造能力的真实水平，也将影响整个行业的供给格局和价格走向。未来，围绕HBM等高端存储的竞争会更加全面，谁能在可靠性、规模交付和成本控制之间找到平衡，谁就更有可能在新一轮算力产业周期中占据优势。