长期以来，高端功率半导体芯片对我国战略性产业形成了明显制约。碳化硅MOSFET作为新一代宽禁带半导体器件，凭借高耐压、低损耗和高频率等特点，在电力电子领域应用广泛。但10kV级超高压碳化硅芯片的设计、制造和量产一直被国外企业掌控，成为我国电力装备升级的核心障碍。
以高压碳化硅MOSFET芯片为代表的自主创新成果，不仅展现了国内科技企业迎难而上的精神，也为产业链安全和技术自立打下坚实基础。未来，在持续创新和开放合作推动下，我国有望在全球功率半导体领域取得更大突破，为现代产业体系建设和“双碳”目标实现作出更大贡献。