在存储芯片领域，NAND闪存和DRAM内存虽然同属存储类别，但技术路径和制造逻辑差异显著。近期，国内NAND厂商尝试进军DRAM领域，引发行业关注。这种跨界并非简单的产线调整，而是需要从材料到工艺的全面技术升级。
从NAND转向DRAM，看似同属存储领域，实则是两种制造理念的转换：一个追求"向上堆叠"，一个必须"向下精进"。能否跨越从样品到量产的关键一步，考验的不仅是单项技术，更是工艺体系、质量管控和产业协同的综合实力。在关键领域，更需要遵循制造规律、坚持长期投入，以务实态度攻克这些"困难但正确"的技术难题。