一、市场概况：涨价浪潮席卷全行业 集邦咨询近日发布报告显示，2025年第四季度全球DRAM内存产业迎来一轮立体全面的价格上行周期；其中，通用内存合约价格涨幅区间为45%至50%，整体合约价格涨幅达50%至55%。受此推动，当季全球DRAM产业总营收环比增长29.4%，达到535.8亿美元，折合人民币约3681亿元，创下近年来单季度营收新高。 该轮涨价并非孤立的市场波动，而是全球智能算力基础设施建设加速扩张上游半导体产业链中的集中映射。随着大型数据中心和云计算平台持续扩容，对高性能内存的需求已从特定细分领域向通用内存市场全面蔓延，供需结构的深层失衡由此形成。 二、竞争格局：三星强势反超，海力士承压 从原厂营收排名来看，本季度市场格局出现显著变化。三星电子以193亿美元的季度营收位居榜首，市场份额达36.0%，环比增幅高达43.0%，成功反超此前领先的SK海力士。三星此番强势回归，主要得益于平均销售单价环比提升约40%，出货量亦实现低个位数百分比的稳步增长，量价齐升效应显著。 SK海力士以32.1%的市场份额位居第二，平均销售单价环比增长约25%，出货量同样保持低个位数增长，整体表现稳健，但在涨价幅度上明显落后于三星，市场主导地位有所松动。 美光科技则表现相对逊色，市场份额出现较大幅度下滑。其平均销售单价环比仅增长约17%，出货量更环比小幅下降4%，在三大原厂中增速垫底。分析人士认为，美光在产品结构调整和客户资源布局上的节奏差异，是其本季度表现落后的重要原因之一。 三、成因分析：需求外溢驱动供需失衡 本轮DRAM价格大幅上涨的根本动因，在于全球智能算力需求的持续扩张已超出现有供给能力的承接边界。大型云服务供应商为保障算力基础设施的持续扩建，对内存采购的优先级和价格容忍度均大幅提升，采购意愿强烈且对价格波动表现出较高的接受度。 此外，上游DRAM原厂受制于先进制程产能爬坡周期较长、高带宽存储器生产资源占用较多等因素，通用内存的有效供给扩张空间相对有限。供给端的结构性约束与需求端的爆发式增长相叠加，共同推动了本轮价格的快速上行。 四、前景研判：2026年一季度涨势或深入加剧 展望2026年第一季度，集邦咨询预计市场涨势将进一步延续并有所加速。大型云服务供应商对内存采购价格仍持开放态度，采购需求未见明显收缩迹象。而上游原厂的出货规模预计将大致维持现有水平或略有提升，供给端难以在短期内形成有效对冲。 ，通用内存价格涨幅预计将超越高带宽存储器，达到90%至95%；整体DRAM平均涨幅也将达到80%至85%。这意味着内存市场的价格中枢将在短时间内实现近乎翻倍的跃升，对下游终端设备制造商、服务器整机厂商及云计算平台的成本结构将产生不可忽视的传导压力。
这轮DRAM市场的强势反弹，一方面反映出数字经济时代对算力基础设施的旺盛需求，另一方面也暴露出半导体产业链的深层结构性矛盾；如何在短期利润与长期技术投入之间找到平衡，将是全球存储芯片厂商绕不开的课题，这轮行情的走向也将对全球半导体产业格局产生深远影响。