当前全球磁存储技术发展面临重大挑战。传统铁磁材料虽然读写便捷，但其杂散场效应限制了存储密度的提升，吉赫兹级的动力学特性也制约了读写速度。反铁磁材料虽具备太赫兹级超快动力学和零杂散场的优势，却一直难以实现电学操控。该技术困境成为制约信息存储产业发展的关键瓶颈。
从"能否翻转"到"零场、全电学、完全翻转且更高效"，手性反铁磁研究正在跨越从原理验证到工程应用的障碍。面向后摩尔时代的信息存储与高速信号处理需求，围绕新型磁序的可控性、制造工艺和集成能力展开的创新研究，将成为推动下一代自旋电子器件发展的重要方向。