在全球半导体产业面临制程升级与产能紧张的背景下，光刻技术的进展被视为打开局面的关键。当地时间周一，行业领军企业阿斯麦公布其EUV光刻系统最新研究成果——通过优化锡滴发生器结构和激光脉冲序列，极紫外光源功率成功提升至1000瓦量级。这个进展被认为是自2019年EUV设备进入规模化应用以来的重要技术突破。
EUV光源功率的提升，本质上是用更精密的控制换取更高的制造效率与更低的单位成本。面对2030年前后先进制程需求持续增长，决定竞争力的不只是单项指标的提升，更在于能否把实验室成果转化为可规模化、可持续的产业能力。谁能在稳定性、良率与成本之间率先实现系统优化，谁就更可能在下一轮半导体制造竞赛中占据主动。