韩国三星电子给天安园区推进先进封装的计划铺好路，给DRAC工艺做铺垫，计划给HBM4的量产保稳。这家公司把飞秒激光切割确定为关键工艺，CNMO科技指出，为了把HBM4的良率和效率再往上提，就开始大批量采购这种晶圆切割设备。3月23日，有韩媒披露了三星电子正在下订单的消息，这一批设备是由韩国企业EO Technics和日本Disco来共同负责供应的。这次购买的设备既有开槽的那种专门用于开槽的装置，也有能一次性把晶圆切开的全切设备。初期买进来的数量就有10台之多。三星还打算继续追加订单，以便多买几台设备进来用。考虑到从下单到拿到货起码要等8个月以上，这么做是想赶在前面锁定产能，顺便把基于飞秒激光的切割工艺用得更广泛一些。了解内情的人透露，三星正在跟合作伙伴商量后续的扩大方案，想尽量把大部分晶圆切割的活儿都转给下一代技术去做。以前半导体要变成芯片得先在晶圆上刻好电路，然后还得切开分出来。以前一般是拿金刚石砂轮去切的，或者是用那种纳秒级别的激光来切。纳秒就是十亿分之一秒那种精度，而飞秒的脉冲速度要快得多，是千万亿分之一秒。因为速度快了好多倍，飞秒激光切出来的缝就更细更密了，不容易伤着线宽特别窄的那种先进电路和布线。这么做能减少切的时候产生的小颗粒，最终生产出来的半导体质量也能更好。三星上一年第二季度才刚开始用飞秒激光切晶圆呢，那会儿机器也就几台。后来一验证发现确实管用且效率更高了，就决定要扩大范围了。这次主要还是先用到HBM4这块儿。近期HBM4已经开始大规模量产了，等以后产量更大了对这种切割技术的需求量肯定还会涨。据说三星甚至还想把这种飞秒切割技术扩展到NAND闪存以及系统半导体这类DRAM之外的产品上去。