2026年下半年，三大存储器原厂的HBM4验证程序就快把关键的一关过了。SK海力士正忙着找一种新的封装方案，就是为了帮英伟达搞定峰值性能这个大目标。 3月4日韩国ZDNet传出消息，SK海力士在试一种下一代封装技术，专门为了让HBM4更稳、跑得更快。这个技术目前还在验证阶段。因为HBM4的输入输出信号翻了一倍，达到了2048个，信号打架的风险就变大了。虽说带宽是上去了，可电压方面的压力也不小。 为了让芯片稳当点，SK海力士打算给部分上层的DRAM芯片多加点料，也就是把厚度做厚一点；同时把DRAM层之间的缝隙缩窄一点。这样既不会让封装整体变高，又能少给最上层供电的功耗。 以前DRAM要打磨背面来减薄厚度，达到HBM4那775微米的要求。可这太狠了，太容易伤到性能还降低抗冲击的能力。所以把芯片做厚成了SK海力士必须要做的事儿。 但是间隙太窄，往里面灌模塑底部填充材料（MUF）变得特别难。MUF是用来保护和绝缘的，灌不均匀就容易出毛病。所以SK海力士搞了个新招数，不改太多现有流程设备，就能缩小间距还保持良率。 内部测试结果还挺不错的。如果真能用在产品上，不仅能满足英伟达要的峰值性能要求，下一代产品也会强很多。 之前有说英伟达可能会把HBM4的性能目标往回调点，把速度定在10Gbps左右。半导体分析公司Semianalysis觉得英伟达给Rubin芯片定的总带宽目标太高了，是22 TB/s。可是内存供应商好像达不到这么高的要求，“预计初始出货量没那么多，大概是20 TB/s（也就是每个HBM4引脚10 Gbps）。” 这就导致各家都想抢市场份额，开始了HBM性能的竞赛。比如三星在用更先进的1c DRAM技术搞开发的时候，还在不断出招呢：加大DRAM芯片的尺寸、引入全新的供电架构PDN分段技术来降低缺陷率。 TrendForce集邦咨询也说了，AI基建在扩张，GPU需求也跟着涨。等英伟达Rubin平台正式量产了，HBM4的需求量肯定也会跟着飙升。 现在三大原厂都在推进HBM4验证。三星产品稳定性最好，预计会抢在前面先把验证做完；SK海力士接着干，靠着跟英伟达的老关系在供货上占优势；美光稍微慢了点，也赶在第二季完成了。